タングステン・モリブデン・放熱基板材料

放熱基板材料

放熱基板材料ヒートシンク(ヒートスプレッダー)

高性能放熱基板は、高い熱伝導率を有し、いろいろな材料で広範囲の熱膨張係数への対応が可能です。
(世界で唯一の総合高機能放熱基板メーカー)

放熱基板材料 特性表
放熱基板材料 特性表

ヒートシンク材料の特性一覧表はこちら

  • 車輌用
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  • IC部品
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  • マイクロウェーブ部品
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  • 光部品
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1.金属系
純Mo、純W

Siに近似した熱膨張率を有し機械的強度に優れているため、高出力・高信頼性を要求されるパワー関係には最適なヒートシンクです。プレス加工を含め各種機械加工も可能です。

■用途例  サイリスタ用、パワートランジスタ用基板 等

純Mo、純W

2.合金系
Cu-W

Wの低熱膨張性とCuの高熱伝導性を兼ね備えた複合材料で、アルミナやコバール等の周辺材料に合わせて熱膨張率が可変です。機械加工も容易なため、微細複雑形状品の製造が可能です。

■用途例  マイクロ波、光通信、MPU 等

Cu-W
Cu-Mo

圧延・プレス加工が容易で、熱膨張率・熱伝導率の可変な材料です。また、クラッド材は表面が純Cuであるため、表面の熱分散が大きくなります。

■用途例  マイクロ波、プラスチックPKG、パワートランジスタ用基板 等

Cu-Mo

3.セラミックス系
AlN

電気絶縁性が高く誘電率が低い材料で各種メタライズ処理も可能です。

■用途例  半導体レーザ用サブマウント、LED用基板 等

AlN

4.セラミックス-金属系
焼結Al-SiC

少量かつ比較的複雑な形状にも対応可能で、比重がCuの1/3と軽量なヒートシンクです。AlとSiCの組成比率を変えることで熱膨張をカスタマイズすることが可能です。

■用途例  MPU、DSP、ルータ用LSI 等

焼結Al-SiC
Copper-Buster(Al-SiC)

薄くて安価なAl-SiCのヒートシンクを提供するために開発した製品です。熱膨張係数はプラスチックPKGやガラスセラミックPKGに最適な15ppm/Kです。

■用途例  システムLSI、ルータ用LSI 等

Copper-Buster(Al-SiC)
Invader(Si-SiC)

Siと同じで低熱膨張率で、高い熱伝導性を持つヒートシンクです。ニアネット成形も可能です。

■用途例  スパコン用LSI、高性能サーバ用MPU 等

Invader(Si-SiC)

5.ダイヤモンド系
スミクリスタル

世の中の物質の中で最高の熱伝導率を有する合成ダイヤモンド単結晶です。

■用途例  半導体レーザ用サブマウント 等

スミクリスタル
CVDダイヤモンド

CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって得られるバインダーを含まない多結晶ダイヤモンドです。

■用途例  半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等

CVDダイヤモンド
DMCH

超高圧技術が生み出したダイヤモンドとCuの複合材料です。InPやGaAsの化合物半導体材料に近い熱膨張係数でありながらCu以上の熱伝導率を有しています。

■用途例  半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等

DMCH

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