よくある質問／ヒートシンク製品
- PCM、RCMの熱膨張の異方性とは？
- 圧延方向と圧延垂直方向で膨張係数に差があるということです。異方性がないPCM、RCMを提供する事も可能です。
- 材料を購入できますか？
- 基本的に材料販売は行っていません。形状加工＋表面処理（めっき等）を行った部品販売を行っています。
- 放熱基板にはんだ付けは可能ですか？
- 放熱基板自体にはんだ濡れ性がなく、表面処理（Ni等）が必要です。
- 少量でも購入可能ですか？
- 少量も対応しています。
- 試作製品であれば短納期対応も可能ですか？
- お客様の要求納期にお応えできるよう検討いたしますので、ぜひお問い合わせください。
- PCM30の30って何ですか？
- PCM、RCMの後ろについている数字は、Cuの含有率（wt％）です。
- CPCの後ろについている数字は何ですか？
- Cuと※PCMとCuの層厚の比になります。例えばCPC141は、Cu：PCM：Cu＝1：4：1であることを表しています。CPC-300のみ、熱伝導率が300W/(m・K)であることを表しています。
※PCM:銅モリブデン合金の当社呼称
- レジスト加工は可能ですか？
- 熱硬化式であれば対応しております。詳細はお問い合わせください。
- 標準的なデザインガイド（寸法精度等）を知りたいです。
- デザインガイドを営業担当がお持ちいたします。
- まず試作と評価を行いたいと考えておりますが少量から対応できますか？
- 少量試作から対応いたしますので、お問い合わせください。
- Ag-Diamondの作製可能な最大サイズを教えてください。
- Ag-Diamond（AD90）の最大サイズは□50×2mmですが、それ以上でも対応できる場合がありますので、ご相談ください。
- Ag-Diamondは他の基盤とどのように接合できますか？
- 表面にNiまたはNi/Auめっきを施すことで、銀ロウやはんだで他の基盤と接合可能です。
- CPC141の標準品があれば標準仕様を教えてください。
- 標準品はございません。ご要求サイズや仕様をお聞きして個別に設計、お見積りしております。
- CPC141に穴加工を行うことはできますか。
- 穴加工は可能です。
- CPC141の最小ロット数を教えてください。
- 数個レベルの少量から対応致します。
- PC141の標準的なリードタイムを教えてください。
- めっきなどの表面処理の仕様やご要求数量によりますが、数週間で対応可能です。
- スミクリスタルとCVDダイヤモンドの最大サイズを教えてください。
- スミクリスタルは□3×1.0mm、CVDダイヤモンドは□5×0.4mmです。
- Cuの表面にCVDでダイヤモンドを形成できますか？
- 熱膨張差が大きいため、Cuの上にCVDダイヤモンドの形成は困難です。
- セラミックス製放熱基板を、任意の形状にカスタム対応はできますか？
- 単純形状であればカスタム対応可能です。図面やイラストなど、ご希望形状をお知らせください。
- Mg-SiCの比熱容量を教えてください。
- 0.74kJ/(kg・K）です。
- Al-SiC、Mg-SiCは穴加工や凹凸形状などの複雑形状も可能でしょうか？
- 複雑形状への加工は困難ですが穴加工などは可能です、ご相談ください。
- サンプルの提供は可能でしょうか？放熱基板の実物を見たり、評価等をしたいです。
- 評価内容と評価結果を教えて頂ければ、サンプル提供を検討します。まずはお問い合わせください。
- カタログに記載のない温度領域における熱伝導率や膨張係数のデータはありますか？
- ご用意できる温度領域もありますので、お問い合わせください。
- Cu-Moの最大サイズについて教えてください。
- 厚さ1mmの場合、最大サイズは長さ500×幅150mmです。材質や厚さによって最大サイズは変わりますので、お問い合わせフォームよりご連絡をお願い致します。
- Cu-Moは凹凸など複雑形状への加工は可能ですか？
- マシニング加工によって凹凸形状など複雑形状への加工も可能です。
- Al-SiC、Mg-SiCの電気特性を教えてください。
- 比抵抗などの電気特性はカタログをご参照願います。
- Al-SiC、Mg-SiCの最大サイズを教えてください。
- Al-SiCは約□50×1mm、Mg-SiCは約200×150×5mmですが、それ以上のサイズも対応できる場合がありますので、ご相談ください。
- パワーデバイスの半導体素子と水冷放熱部品の間に挟む絶縁板として適した放熱基板を教えてください。
- 窒化アルミニウム（AlN）を推奨します。
- AuSnはんだ付きの放熱基板は製作できますか？
- 可能です。図面やイラストなど、ご希望の仕様をお知らせください。
- GaNデバイス用に適した放熱基板を教えてください。
- Cu-Diamondが特性的に最適ですが高価です。要求仕様やターゲット価格などに応じて、Cu-Diamond、Ag-Diamond、CPC、Cu-Moの使い分けをお勧めします。
- ダイヤ系放熱基板の面粗さはどの程度ですか。
- スミクリスタルとCVDダイヤはRy0.2um以下、Cu-Diamond（DC60）はRa0.4um以下、Ag-Diamond（AD90）はRa1.0um以下です。
- Mg-SiCとAl-SiCの違いを教えてください。
- 共にSiCとの複合材料ですが、マグネシウムを含む材料がMg-SiC、アルミニウムを含む材料がAl-SiCです。それぞれの特性の違いはカタログをご参照願います。
- Cu-MoとAg-Diamondの標準仕様と価格レベルを教えてください。
- 弊社放熱基板に標準品はございません、ご要望をお聞きして個別に設計ご提案とお見積りをさせて頂いています。お問い合わせをお願い致します。
- 海外に輸出する際の該非判定書を入手できますか？
- ご用意可能です。お問い合わせフォームよりご連絡をお願い致します。
技術資料ダウンロード
下記リンクから技術資料をダウンロードできます
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バーレーザーダイオード用
Cu-Diamond / Cu-W サブマウント
Cu-Diamond は、化合物半導体に近い熱膨張係数、かつ銅以上の熱伝導率(>500 W/m・K)を有しています。Cu-W は、銅の高熱伝導特性とタングステンの低熱膨張特性を兼ね備え、周辺材料に合わせて線膨張係数を調整可能です。
ウエハーボンディング用支持基板
（純Mo、Cu-Mo 合金、Cu-W 合金）
Moは半導体素子（Si、GaN、SiC）に近い熱膨張率を有し、半導体素子への熱ストレスを低減することができます。Cu-WとCu-Moは、高熱伝導金属の銅と低熱膨張金属のタングステン、あるいはモリブデンとの複合材料で、周辺材料に合わせて線膨張係数を調整できます。
Ag-Diamond (銀ダイヤモンド)
放熱基板
熱伝導率が金属元素で最高の銀と、地上の物質で最高のダイヤモンド。独自技術で複合化し、600 W/(ｍ・K)以上の熱伝導率を有す放熱基板です。航空・宇宙向けの高出力デバイスに最適です。
CPC放熱基板
（Cu, Cu-Mo, Cu 複合材）
Cu-Moの上下を純銅で挟んだ3層構造の放熱基板です。Cu-Mo材の組成とCuとの積層比率を調整することで、熱伝導率と線膨張係数が可変となります。さらに、表面がCuで初期の熱放散に優れ、量産が可能です。
MAGSIC® (マグシック®)
放熱基板
標準は熱膨張 7.0ppm、熱伝導 230W/(ｍ・K) の軽量、低熱膨張、高熱伝導放熱基板です。MgとSiCの組成比率を変え、熱膨張のカスタマイズも可能です。反り付け形状のばらつきが少なく、ヒートサイクル試験後も反り形状が安定して保持されます。