株式会社アライドマテリアル

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ヒートシンク開発

より高性能のヒートシンクを目指して

日々開発が進む半導体が設計性能を発揮するためには、より高性能なヒートシンクが不可欠です。アライドマテリアルは、お客様の要求を一つ一つ汲み上げ、新たなヒートシンクの開発に日夜取り組んでいます。

次世代ヒートシンク 電鉄IGBT用Mg-SiC

当社独自の成形・溶浸技術を用いてMgインゴットとSiC粉末から製造するMg-SiCは大型量産品に適しています。標準品では熱膨張7.5ppm、熱伝導230W/mKのMg-SiCはさらにMgとSiCの組成比率を変えることにより、熱膨張のカスタマイズも可能です。
反り付け形状のばらつきが少なく、ヒートサイクル試験後も反り形状が安定して保持されます。

次世代ヒートシンク 電鉄IGBT用Mg-SiC

特性

項目 代表値
比重 2.8
熱伝導率(R.T.) 230W/(m・K)
平均熱膨張係数(R.T.~120℃) 7.5ppm/K
ヤング率 160GPa
抗折強度 400MPa

 

熱伝導率の温度依存症

次世代ヒートシンク Ag-Dia

AgはCuよりも熱伝導率が高く、金属のなかで最も熱伝導率の高い材料です。このAgとダイヤモンド粉末を当社独自技術で合金化し、600W/(m・K)以上の熱伝導率を有する新しい材料が完成しました。
従来のダイヤモンド系材料よりも大きな素材が製造可能になり、高出力用PKGのベース板や大型デバイスの放熱基板など、さまざまな用途で使用可能なダイヤモンド系放熱材料です。 高温処理(800℃)や冷熱サイクルでも熱伝導率の低下が少ないなど、高い信頼性を有していることも特徴です。従って銀ロウ付けによるアセンブリも可能です。

次世代ヒートシンク(Ag-Dia)

特性(代表値)

項目 代表値
熱伝導率(R.T.) 630W/(m・K)
平均熱膨張係数 R.T.~400℃ 8.9 ppm/K
R.T.~800℃ 10.5 ppm/K
比熱 0.34 kJ/kg・K
800℃熱処理後の熱伝導率 変化なし
比重 5.9
ヤング率(R.T.) 346 GPa
引張強さ(R.T.) 390 MPa
ポアソン比(R.T.) 0.24
電気抵抗率 7.27×10-8Ωm

携帯基地局用ヒートシンク(CPC)

CPCは、Cu-Mo複合材の上下にCu層を備えた積層構造の複合材料です。 芯材となるCu-Mo材の組成と積層比率の組み合わせで、熱伝導率と線膨張係数を変えられます。
また、両表面がCuであるため、初期の熱放散性効果に優れています。
用途としては、無線通信のうち主に携帯電話基地局のアンプ用基板に使用されています。

携帯基地局用ヒートシンク(CPC)

CPCの種類と構造

CPCの種類と構造