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材質 | 名称 | 組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
---|---|---|---|---|---|
Mo | Mo | Mo | 半導体(Si、GaN、SiC)に熱膨張が近く、半導体への熱ストレスを低減するために広く用いられます。 | 5.7 | 142 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
---|---|---|---|---|---|
Cu-W | W-6 | 94W-6Cu | 熱膨張率を低く抑えたCu-Wであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを制御します。 | 6.4 | 141 |
W-10 | 89W-11Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。 | 7.9 | 174 | |
W-15 | 85W-15Cu | ベリリアセラミックと熱膨張率の整合をとっており、ベリリアを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。また、熱膨張率がアルミナとコバールの中間値のためアルミナとコバールの両方用いたパッケージにも広く用いられています。 | 8.6 | 184 | |
W-20 | 80W-20Cu | コバールと熱膨張率の整合をとっており、コバールを用いたメタルパッケージに広く用いられています。 | 9.8 | 200 | |
W-10N | 89W-11Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。W-10Nは専用金型の作製により、外周加工レスCu-W(ニアネットCu-W)を提供できます。 | 7.9 | 200 | |
W-10T | 89W-11Cu | 熱膨張率はW-10と同じですが、特別な製法により熱伝導率を向上させています。また、反りを小さく抑えることが可能なため高出力レーザー用のサブマウント用途に広く使用されています。 | 7.9 | 205 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
---|---|---|---|---|---|
Cu-Mo | CM-15 | 85Mo-15Cu | 熱膨張率を低く抑えたCu-Moであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを制御します。 | 7.6 | 148 |
PCM30 | 70Mo-30Cu | 熱膨張を低く抑えたCu-Moですが、圧延やプレス加工などコストに優れた製法が適用可能です。 | 7.5 | 195 | |
PCM35 | 65Mo-35Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。 | 7.8 | 210 | |
PCM40 | 60Mo-40Cu | 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。 | 8.2 | 220 | |
RCM60 | 40Mo-60Cu | 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。 | 10.5 | 275 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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CPC® | CPC141 | Cu/Cu-Mo/Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。 | 7.6 | 200 |
CPC232 | Cu:Cu-Mo:Cu=2:3:2(厚み)で積層し、熱膨張率と熱伝導率を調整した材料です。 | 8.4 | 235 | ||
CPC111 | Cu:Cu-Mo:Cu=1:1:1(厚み)で積層し、熱膨張率と熱伝導率を調整した材料です。 | 9.8 | 260 | ||
CPC212 | Cu:Cu-Mo:Cu=2:1:2(厚み)で積層し、熱伝導率を 300W/(m・K) に高めた材料です。高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。 | 12.1 | 300 | ||
CPC-300 | 熱伝導率が300W/(m・K)と非常に高く、高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。0.5mmの薄板対応も可能です。 | 12.1 | 300 |
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材質 | 名称・組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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AlN | AlN(200W) | 絶縁やパターン回路が必要な場合に有用です | 4.5 | >200 |
AlN(170W) | 4.5 | >170 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~120℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Al-SiC | β8 | 70SiC-30Al | 専用金型により加工を必要とせず、安価に製造できます。 パッケージの種類により熱膨張率が可変です。 |
8.0 | 140 |
β9 | 65SiC-35Al | 9.0 | 130 | ||
β14 | 45SiC-55Al | 14.0 | 160 |
標準は熱膨張 7.0ppm、熱伝導 230W/(m・K) の軽量、低熱膨張、高熱伝導放熱基板です。反り付け形状のばらつきが少なく、ヒートサイクル試験後も反り形状が安定して保持されます。
用途例 | 電鉄・産業機械・車載(EHV)用パワーモジュール |
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材質 | 名称 | 組成 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~120℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Mg-SiC | MAGSIC® | 18Mg-SiC | 軽量のため大型基板での使用に適しています。 さらに反りが安定しており、高熱伝導とあわせ放熱性に優れています。 |
7.0 | 230 |
地球上の物質の中で最高の熱伝導率を有する合成ダイヤモンド単結晶です。
チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
用途例 | 半導体レーザ用サブマウント 等 |
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材質 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~100℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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スミクリスタル® | 物質中最も高い熱伝導率を有するダイヤモンドの放熱基板です。 | 2.3 | 2000 |
スミクリスタルは住友電気工業株式会社の登録商標です
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材質 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~100℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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CVDダイヤモンド | CVD(Chemical Vapor Deposition)法による、厚み0.2~0.4mmのダイヤモンドの放熱基板です。 | 2.3 | >1000 |
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材質 | 名称 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Cu-Diamond | DC60 | 熱膨張率を化合物半導体(GaAs,GaN)に合わせた高熱伝導放熱基板です。 | 6.0 | 550 |
DC70 | 6.5 | 500 |
銀とダイヤモンドの放熱基板です。Cu-Diamondよりも高い熱伝導率 600W/(m・K) を有しており、50×50mmの大面積の用途へも適用可能です。
用途例 | 無線、セラミックスパッケージ、パワートランジスタ用基板、MPU 等 |
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材質 | 名称 | 特長 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Ag-Diamond | AD90 | Cu-Diamondよりも高い熱伝導率 600W/(m・K) を有しており、50×50mm の大面積の用途へも適用可能です。 | 10.5 | 600 |
下記リンクから技術資料をダウンロードできます
※ダウンロードには会員登録が必要ですCu-Diamond は、化合物半導体に近い熱膨張係数、かつ銅以上の熱伝導率(>500 W/m・K)を有しています。Cu-W は、銅の高熱伝導特性とタングステンの低熱膨張特性を兼ね備え、周辺材料に合わせて線膨張係数を調整可能です。
Moは半導体素子(Si、GaN、SiC)に近い熱膨張率を有し、半導体素子への熱ストレスを低減することができます。Cu-WとCu-Moは、高熱伝導金属の銅と低熱膨張金属のタングステン、あるいはモリブデンとの複合材料で、周辺材料に合わせて線膨張係数を調整できます。
熱伝導率が金属元素で最高の銀と、地上の物質で最高のダイヤモンド。独自技術で複合化し、600 W/(m・K)以上の熱伝導率を有す放熱基板です。航空・宇宙向けの高出力デバイスに最適です。
Cu-Moの上下を純銅で挟んだ3層構造の放熱基板です。Cu-Mo材の組成とCuとの積層比率を調整することで、熱伝導率と線膨張係数が可変となります。さらに、表面がCuで初期の熱放散に優れ、量産が可能です。
標準は熱膨張 7.0ppm、熱伝導 230W/(m・K) の軽量、低熱膨張、高熱伝導放熱基板です。MgとSiCの組成比率を変え、熱膨張のカスタマイズも可能です。反り付け形状のばらつきが少なく、ヒートサイクル試験後も反り形状が安定して保持されます。