用途別ヒートシンク製品紹介
無線通信用高出力デバイス
プラスチックパッケージ
Cu-Moが広く用いられています。
- CPC212、CPC-300
- 熱伝導率が300W/（ｍ・K)と非常に高く、高出力デバイス(GaN)の性能発揮のため広く用いられています。
- CPC141
- 半導体素子(Si,GaN)に熱膨張率を整合させたい場合に用いられます。
セラミックパッケージ
アルミナセラミックと熱膨張率が整合したW-10、W-10N、PCM35が広く用いられています。
- W-10
- Cu-Wは剛性が高いため反りを小さく抑えたい場合に用いられます。
- W-10N
- 専用金型をご注文頂けると、大量生産時にコストに優れる外周加工レスCu-W(ニアネットCu-W)を提供できます。
- PCM35
- Cu-Moは延性があるため、コストに優れた圧延やプレス加工を行うことができます。
メタルパッケージ用回路基板
コバールと熱膨張率が整合したW-20、PCM40が広く用いられています。
- W-20
- Cu-Wは剛性が高いので、反りを小さく抑えたい場合に用いられます。
- PCM40
- Cu-Moは延性があるので、コストに優れた圧延やプレス加工を行うことができます。
車載・電車用高出力デバイス
パワーモジュール用ベース基板
Cu-Mo（PCM35、CPC232）が広く用いられており、新規にMg-SiCを開発しました。
- PCM35
- Cu-Moは延性があるため、コストに優れた圧延やプレス加工を行うことができます。予め反りを与えることにより、最終形状の反りを抑えることが可能です。
- CPC232
- Cu-Moは延性があるため、コストに優れた圧延やプレス加工を行うことができます。さらにMoの使用量も抑えることが可能です。
- Mg-SiC
- 軽量のため本用途のような大型基板での使用に適しています。さらに反りが安定しており、高熱伝導とあわせ放熱性に優れています。
熱緩衝板
圧延により薄板が安価に製造可能なMo、Cu-Mo（PCM30、PCM60）が広く用いられています。
- Mo
- 半導体素子（Si、GaN、SiC）に熱膨張が近く、半導体素子への熱ストレスを低減するために広く用いられています。
- PCM30
- 半導体素子と金属（Cu、Al）の中間の熱膨張率のため、優れた応力緩衝能力を有します。
- RCM60
- 熱伝導率が高く、放熱性を重視した設計が可能です。
光通信用高出力デバイス
サブマウント・キャリア
サブマウントには絶縁性やパターン形成ができるAlNが広く用いられています。
- W-10
- アルミナセラミックと熱膨張率を揃えており、アルミナと接合する部品に広く用いられています。
- W-20
- コバールと熱膨張率を揃えており、コバールと接合する部品に広く用いられています。
LDパッケージ
コバールと熱膨張率が整合したW-20、PCM40が広く用いられています。
- W-20
- Cu-Wは剛性が高いため反りを小さく抑えたい場合に用いられます。
- PCM40
- Cu-Moは延性があるため、コストに優れた圧延やプレス加工を行うことができます。
LSI部品
セラミックパッケージ基板
Cu-W（W-10）が広く用いられています。
- W-10
- アルミナセラミックと熱膨張率を揃えており、アルミナを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。
リッド（セラミックス・オーガニックパッケージ用）
LD用部品
バーレーザタイプ
高熱伝導のCu-W（W-10T）、Cu-Diamond、AlNが広く用いられています。
- W-10T
- 熱膨張率はW-10と同じですが、特別な製法により熱伝導率を向上させています。また、反りを小さく抑えることが可能なため、高出力レーザー用のサブマウント用途に広く用いられています。
- Cu-Diamond
- Cuを超える熱伝導率で非常に高い放熱性が得られます。
- AlN
- 絶縁やパターンが必要な場合に用いられます。
LED用部品
LED支持基板
大型薄板のウエハーが製造可能なCu-W(W-6、W-10)、Moが広く用いられています。
- Mo
- 半導体素子（Si、GaN、SiC）に熱膨張が近く、半導体素子への熱ストレスを低減するために広く用いられています。
- W-6
- 熱膨張率を低く抑えたCu-Wであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを防いでいます。
- W-10
- 周辺部材のアルミナと熱膨張率が近く、LED支持基板として広く用いられています。