株式会社アライドマテリアル

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材質別ヒートシンク製品紹介

純金属系

純Mo

純Mo

Siに近似した膨張係数を有し機械的強度に優れているため、高出力・高信頼性を要求されるパワー関係には最適なヒートシンクです。プレス加工を含め各種機械加工も可能です。

用 途 例 ダイオード・サイリスタ用、パワートランジスタ用基板 等

スクロールで表全体をご覧いただけます。

材質 名称 組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~800℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
Mo Mo Mo 半導体(Si、GaN、SiC)に熱膨張が近く、半導体への熱ストレスを低減するために広く用いられます。 5.7 142

合金系

Cu-W

Cu-W

Wの低熱膨張性とCuの高熱伝導性を兼ね備えた複合材料で、アルミナやコバール等の周辺材料に合わせて線膨張係数が可変な材料です。機械加工性が優れており、微細複雑形状品の製造が可能です。
アライドマテリアルは、お客様のニーズに対応するため6種類のCu-Wをラインアップしています。

用途例 光通信、無線通信、LED用基板

スクロールで表全体をご覧いただけます。

材質 名称 組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~800℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
Cu-W W-6 94W-6Cu 熱膨張率を低く抑えたCu-Wであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを防いでいます。 6.4 141
W-10 89W-11Cu アルミセラミックと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。 7.9 174
W-15 85W-15Cu ベリリアセラミックと熱膨張率の整合をとっており、ベリリアを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。また、熱膨張率がアルミナとコバールの中間値のためアルミナとコバールの両方用いたパッケージにも広く用いられています。 8.6 184
W-20 80W-20Cu コバールと熱膨張率の整合をとっており、コバールを用いたメタルパッケージに広く用いられています。 9.8 200
W-10N 89W-11Cu アルミナセラミックと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。W-10Nは専門金型を作製いただけると、大量生産時にコストに優れる外周加工レスCu-W(ニアネットCu-W)を提供できます。 7.9 200
W-10T 89W-11Cu 熱膨張率はW-10と同じですが、特別な製法により熱伝導率を向上させています。また、反りを小さく抑えることが可能なため高出力レーザー用のサブマウント用途に広く使用されています。 7.9 205

Cu-Mo

Cu-Mo

圧延・プレス加工が容易で、線膨張係数・熱伝導率の可変な材料です。また、積層材CPCは表面が純Cuであるため、表面の初期熱放散効果に優れています。
アライドマテリアルは、お客様のニーズに対応するため10種類のCu-Moをラインアップしています。

用途例 無線通信、光通信、車載、風力発電、LED、産業機械

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材質 名称 組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~800℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
Cu-Mo CM-15 85Mo-15Cu 熱膨張率を低く抑えたCu-Moであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを防いでいます。 7.6 148
PCM30 70Mo-30Cu 熱膨張を低く抑えたCu-Moですが、圧延やプレス加工などコストに優れた製法が適用可能です。 7.5 195
PCM35 65Mo-35Cu アルミナセラミックと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。 7.8 210
PCM40 60Mo-40Cu 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。 8.2 220
RCM60 40Mo-60Cu 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。  10.5 275
CPC141 Cu/PCM/Cu アルミナセラミックと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。表面が高熱伝導の銅のため熱の拡散に優れています。 7.6 200
CPC232 Cu/PCM/Cu 高熱伝導と低熱膨張率の最適値から選択される材料です。 8.4 235
CPC111 Cu/PCM/Cu 高熱伝導と低熱膨張率の最適値から選択される材料です。  9.8 260
CPC212 Cu/PCM/Cu 熱伝導率が300W/(m・K)と非常に高く、高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。CPC-300は0.5mmの薄板対応も可能です。 12.1 300
CPC-300 Cu/PCM/Cu 熱伝導率が300W/(m・K)と非常に高く、高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。CPC-300は0.5mmの薄板対応も可能です。 12.1 300

セラミックス系

AIN

AlN

電気絶縁性が高く誘電率が低い材料で、表面に電気回路、チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。

用途例 半導体レーザ用サブマウント、LED用基板 等

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材質 名称・組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~400℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
AlN AlN(200W) 絶縁やパターン回路が必要な場合に有用です 4.5 >200
AlN(170W) 4.5 >170

焼結Al-SiC

焼結Al-SiC

リッド形状のような比較的複雑な形状にも対応可能で、比重がCuの1/3と軽量なヒートシンクです。AlとSiCの組成比率を変え、熱膨張のカスタマイズも可能です。ヤング率は鉄の1/2と小さく、応力緩和材としてもご使用頂けます。表面は接着剤の密着性にも優れています。

用途例 制御用ECU、MPU、DSP、システムLSI、ルータ用LSI 等

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材質 名称 組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~400℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
Al-SiC β8 70SiC-30Al 専用金型により加工を必要とせず、安価に製造できます。
パッケージの種類により熱膨張率が可変です。
8 140
β9 65SiC-35Al 9 130
β14 45SiC-55Al 14 160

Mg-SiC

MgSiC

標準材では熱膨張7.0ppm、熱伝導230W/(m・K)の軽量、低熱膨張、高熱伝導材料です。MgとSiCの組成比率を変え、熱膨張のカスタマイズも可能です。反り付け形状のばらつきが少なく、ヒートサイクル試験後も反り形状が安定して保持されます。

用途例 電鉄・産業機械・車載(EHV)用パワーモジュール

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材質 名称 組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~120℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
Mg-SiC Mg-SiC 18Mg-SiC 軽量のため大型基板での使用に適しています。
さらに反りが安定しており、高熱伝導とあわせ放熱性に優れています。
7.0 230

ダイヤモンド系

スミクリスタル

スミクリスタル

地球上の物質の中で最高の熱伝導率を有する合成ダイヤモンド単結晶です。
チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。

用途例 半導体レーザ用サブマウント 等
 

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材質 特徴 平均線膨張係数
R.T.~100℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
スミクリスタル 物質中最も高い熱伝導率を有するダイヤモンドのヒートシンクです。 2.3 2000

CVDダイヤモンド

CVDダイヤモンド

CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって得られるバインダーを含まない多結晶ダイヤモンドです。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。

用途例 半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等
 

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材質 特徴 平均線膨張係数
R.T.~100℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
CVDダイヤモンド CVD(Chemical Vapor Deposition)法による0.1~0.4mmのダイヤモンドのヒートシンクです。 2.3 >1000

DMCH(Cu-Diamond)

DMCH

銅とダイヤモンドの複合材料です。GaAsやGaNの化合物半導体材料に近い熱膨張係数でありながらCu以上の熱伝導率を有しています。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。

用途例 半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等

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材質 名称 組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~400℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
DMCH  Diamond-Metal DC60 Cu-Diamond 熱膨張率を化合物半導体(GaAs,GaN)に合わせた高熱伝導ヒートシンクです。  6.0 550
DC70 6.5 500

DMCH(Ag-Diamond)

Ag-Diamond

銀とダイヤモンドの複合材料です。Cu-Diamondよりも高い熱伝導率(600W/(m・K))を有しており、50×50mm2の大面積の用途へも適用可能です。

用途例 無線、セラミックスPKG、パワートランジスタ用基板、MPU 等

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材質 名称 組成 特徴 平均線膨張係数
R.T.~800℃[ppm/K]
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)]
DMCH  Diamond-Metal AD90 Ag-Diamond Cu-Diamondよりも高い熱伝導率(600W/(m・K))を有しており、50×50mm2の大面積の用途へも適用可能です。  10.5 600