半導体需要の増加は留まることを知りません。IoT、AI、自動車のEV化や、これからも進化を続ける脱炭素社会が、半導体の需要を増加させていくものと考えられます。アライドマテリアルは液晶や有機ELの裏面配線バリア材として、世界最大級のターゲット用モリブデン素材の生産体制を世界に先駆けて構築し継続的に供給しているほか、半導体の露光分野やエッチング装置内にも部品を供給しています。
用 途 | スパッタリングターゲット、半導体製造装置構造部材、など |
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私たちが健康な生活を送るために、無くてはならない医療機器。
その中にもアライドマテリアルのタングステン・モリブデンが活躍しています。高比重の特長を活かし、CTスキャンなどの画像診断装置の放射線遮蔽材として用いられるほか、カテーテルの補強体など、幅広い場面で不可欠な材料です。
人の生命に関わるからこその高品質・高精度加工のご要求にも、当社のタングステン・モリブデン製品がお応えします。
用 途 |
カテーテル用補強体、CTスキャン用コリメータ、など |
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カーボンニュートラル社会を実現する上で不可欠な、再生可能エネルギーや次世代エネルギーでの発電にもタングステンやモリブデンは活用されます。太陽光発電の配線形成治具として用いられるメッシュ製品のほか、地上の太陽と呼ばれる核融合炉のダイバータにも当社の製品が最適です。
核融合実験炉であるITERでも当社コア技術を応用した、割れ・熱負荷に強いタングステンが採用されており、アライドマテリアルは未来のエネルギーの一翼を担っています。
用 途 |
核融合炉ダイバータ、太陽電池用スクリーンメッシュ、など |
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日常生活の交通手段として欠かせない自動車。夜道を明るく照らすヘッドランプのフィラメントや、スピードメーターのバランサーとしても使用されています。
また、モーター用磁石焼成治具やワイヤー接合の電極、各種工具の原材料粉など、自動車部品を製造する上で必要となる治具・工具の場面でもアライドマテリアルの材料が幅広く活躍しています。
用 途 |
ランプ用フィラメント、ワイヤーハーネス接合用電極、など |
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白熱電球や高輝度ランプをはじめとする可視光から、UV光に至るまで、高融点金属であるタングステン・モリブデンの使用は、産業用(露光)や民生用(エンターテイメント)など多岐に渡り、暮らしの中に溶け込んでいます。
原料からの一貫生産を強みとし、線材や板材はもちろん、電極やねじ部品などの加工を要する製品についても高い品質を保証します。
用 途 |
プロジェクターランプ用電極、ハロゲンランプ用フィラメント、など |
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高温真空炉や還元雰囲気炉などの炉部材には高融点のタングステン・モリブデンが最適です。高温下でも耐変形性を持ち、長寿命化に寄与する自社材質も取り揃えており、お客様のご要望に適した設計・提案が可能です。
用 途 |
高温炉用部材(ヒーター、リフレクター)、など |
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窓や水槽など、皆さんが良く目にするガラスの製造にも、アライドマテリアルのタングステン・モリブデン製品が活躍しています。
高融点金属であり、高温下でも使用可能な長所を生かし、1,200~1,400℃もの高温に達する溶融炉の炉部材や、治具として利用されています。
用 途 |
ガラス溶融炉用構造治具、など |
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金属を溶接する際に、綺麗な仕上がりや精密溶接が要求される場合にはTIG溶接が用いられますが、その電極として当社のタングステンが用いられています。
また、車載用ワイヤーの圧接電極や、放電加工用ワイヤにも高融点のタングステン・モリブデン製品が適しています。
用 途 |
溶接・圧接用電極、カットワイヤー、など |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Cu-W | W-6 | 94W-6Cu | 熱膨張率を低く抑えたCu-Wであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを制御します。 | 6.4 | 141 |
W-10 | 89W-11Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。 | 7.9 | 174 | |
W-15 | 85W-15Cu | ベリリアセラミックと熱膨張率の整合をとっており、ベリリアを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。また、熱膨張率がアルミナとコバールの中間値のためアルミナとコバールの両方用いたパッケージにも広く用いられています。 | 8.6 | 184 | |
W-20 | 80W-20Cu | コバールと熱膨張率の整合をとっており、コバールを用いたメタルパッケージに広く用いられています。 | 9.8 | 200 | |
W-10N | 89W-11Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。W-10Nは専用金型の作製により、外周加工レスCu-W(ニアネットCu-W)を提供できます。 | 7.9 | 200 | |
W-10T | 89W-11Cu | 熱膨張率はW-10と同じですが、特別な製法により熱伝導率を向上させています。また、反りを小さく抑えることが可能なため高出力レーザー用のサブマウント用途に広く使用されています。 | 7.9 | 205 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Cu-Mo | CM-15 | 85Mo-15Cu | 熱膨張率を低く抑えたCu-Moであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを制御します。 | 7.6 | 148 |
PCM30 | 70Mo-30Cu | 熱膨張を低く抑えたCu-Moですが、圧延やプレス加工などコストに優れた製法が適用可能です。 | 7.5 | 195 | |
PCM35 | 65Mo-35Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。 | 7.8 | 210 | |
PCM40 | 60Mo-40Cu | 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。 | 8.2 | 220 | |
RCM60 | 40Mo-60Cu | 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。 | 10.5 | 275 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~120℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Mg-SiC | Mg-SiC | 18Mg-SiC | 軽量のため大型基板での使用に適しています。 さらに反りが安定しており、高熱伝導とあわせ放熱性に優れています。 |
7.0 | 230 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Mo | Mo | Mo | 半導体(Si、GaN、SiC)に熱膨張が近く、半導体への熱ストレスを低減するために広く用いられます。 | 5.7 | 142 |
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材質 | 名称 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Cu-Diamond | DC60 | 熱膨張率を化合物半導体(GaAs,GaN)に合わせた高熱伝導ヒートシンクです。 | 6.0 | 550 |
DC70 | 6.5 | 500 |
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材質 | 名称・組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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AlN | AlN(200W) | 絶縁やパターン回路が必要な場合に有用です | 4.5 | >200 |
AlN(170W) | 4.5 | >170 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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CPC | CPC141 | Cu/Cu-Mo/Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。 | 7.6 | 200 |
CPC232 | Cu:Cu-Mo:Cu=2:3:2(厚み)で積層し、熱膨張率と熱伝導率を調整した材料です。 | 8.4 | 235 | ||
CPC111 | Cu:Cu-Mo:Cu=1:1:1(厚み)で積層し、熱膨張率と熱伝導率を調整した材料です。 | 9.8 | 260 | ||
CPC212 | Cu:Cu-Mo:Cu=2:1:2(厚み)で積層し、熱伝導率を300W/(m・K)に高めた材料です。高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。 | 12.1 | 300 | ||
CPC-300 | 熱伝導率が300W/(m・K)と非常に高く、高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。0.5mmの薄板対応も可能です。 | 12.1 | 300 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Al-SiC | β8 | 70SiC-30Al | 専用金型により加工を必要とせず、安価に製造できます。 パッケージの種類により熱膨張率が可変です。 |
8.0 | 140 |
β9 | 65SiC-35Al | 9.0 | 130 | ||
β14 | 45SiC-55Al | 14.0 | 160 |
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材質 | 名称 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Ag-Diamond | AD90 | Cu-Diamondよりも高い熱伝導率(600W/(m・K))を有しており、50×50mm2の大面積の用途へも適用可能です。 | 10.5 | 600 |
ヒートシンクとなる AIN、Cu-W、Cu-Diamond はシャープエッジ(ピン角)に加工できるため光路を妨げず、エッジ先端部で発光する LD 部の放熱性を高めます。また、はんだ流れを制御する技術により、安定したレーザ性能を実現します。