The demand for semiconductors continues to increase, driven by IoT, AI, the shift to EVs in automobiles, and the continuing evolution of a decarbonized society. A.L.M.T. Corp. has established one of the world's largest production systems for molybdenum target materials as a backside wiring barrier material for LCDs and OLEDs, and is a world leader in the continuous supply of this material.
Applications | Sputtering targets, Semiconductor manufacturing equipment structural components, etc. |
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Medical equipment is indispensable for us to lead healthy lives.
A.L.M.T. Corp.'s tungsten and molybdenum play an active role in these devices as well. Taking advantage of their high specific gravity, they are used as radiation shielding materials for diagnostic imaging equipment such as CT scans, and are also indispensable in a wide range of applications such as catheter reinforcement.
Our tungsten and molybdenum products meet the demands for high quality and high precision processing because they are related to human life.
Applications |
Reinforcing bodies for catheters, Collimators for CT scanners, etc. |
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Tungsten and molybdenum are also utilized for power generation from renewable and next-generation energies, which are indispensable for realizing a carbon-neutral society. In addition to mesh products used as wiring formation jigs for photovoltaic power generation, our products are also ideal for divertors in nuclear fusion reactors, which are called the sun on earth.
ITER, an experimental nuclear fusion reactor, also uses tungsten, which is resistant to cracking and heat load, based on our core technology.
Applications |
Fusion reactor divertor, Screen mesh for solar cells, etc. |
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Automobiles are an indispensable means of transportation in our daily lives. They are used as filaments for headlamps that brightly illuminate nighttime roads and as balancers for speedometers.
Materials from A.L.M.T. Corp. are also widely used in jigs and tools required in the manufacture of automotive parts, such as magnet sintering jigs for motors, electrodes for wire bonding, and raw material powders for various tools.
Applications |
Filaments for lamps, Electrodes for joining wire harnesses, etc. |
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Tungsten and molybdenum, metals with high melting points, are used in a wide range of applications, from visible light, such as incandescent lamps and high-intensity lamps, to UV light, for industrial use (exposure) and consumer use (entertainment), and are integrated into our daily lives.
We are proud of our integrated production from raw materials and guarantee high quality not only for wires and plates, but also for products that require processing such as electrodes and screw parts.
Applications |
Electrodes for projector lamps, Filaments for halogen lamps, etc. |
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Tungsten and molybdenum with a high melting point are optimal for furnace components for high-temperature vacuum furnaces and reduction atmosphere furnaces. We also have our own materials that are resistant to deformation even at high temperatures and contribute to longer service life, and we can design and propose products that meet your requirements.
Applications |
Components for high-temperature furnaces (Heaters, Reflectors), etc. |
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A.L.M.T. Corp.'s tungsten and molybdenum products are also used in the manufacture of glass that we often see, such as windows and water tanks.
Taking advantage of their high melting point and ability to be used at high temperatures, they are used as furnace components and jigs for melting furnaces that reach temperatures as high as 1,200 to 1,400℃.
Aoolications |
Structural jigs for glass melting furnaces, etc. |
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When welding metals, TIG welding is used when a beautiful finish and precision welding are required, and our tungsten is used as the electrode.
Tungsten and molybdenum products with high melting points are also suitable for pressure welding electrodes for automotive wire and electric discharge machining wire.
Applications |
Electrodes for welding and pressure welding, Cut wire, etc. |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Cu-W | W-6 | 94W-6Cu | 熱膨張率を低く抑えたCu-Wであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを制御します。 | 6.4 | 141 |
W-10 | 89W-11Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。 | 7.9 | 174 | |
W-15 | 85W-15Cu | ベリリアセラミックと熱膨張率の整合をとっており、ベリリアを用いたセラミックスパッケージに広く用いられています。また、熱膨張率がアルミナとコバールの中間値のためアルミナとコバールの両方用いたパッケージにも広く用いられています。 | 8.6 | 184 | |
W-20 | 80W-20Cu | コバールと熱膨張率の整合をとっており、コバールを用いたメタルパッケージに広く用いられています。 | 9.8 | 200 | |
W-10N | 89W-11Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。W-10Nは専用金型の作製により、外周加工レスCu-W(ニアネットCu-W)を提供できます。 | 7.9 | 200 | |
W-10T | 89W-11Cu | 熱膨張率はW-10と同じですが、特別な製法により熱伝導率を向上させています。また、反りを小さく抑えることが可能なため高出力レーザー用のサブマウント用途に広く使用されています。 | 7.9 | 205 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Cu-Mo | CM-15 | 85Mo-15Cu | 熱膨張率を低く抑えたCu-Moであり、GaAsやGaNに熱膨張率が近く、熱膨張のミスマッチを制御します。 | 7.6 | 148 |
PCM30 | 70Mo-30Cu | 熱膨張を低く抑えたCu-Moですが、圧延やプレス加工などコストに優れた製法が適用可能です。 | 7.5 | 195 | |
PCM35 | 65Mo-35Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。 | 7.8 | 210 | |
PCM40 | 60Mo-40Cu | 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。 | 8.2 | 220 | |
RCM60 | 40Mo-60Cu | 熱膨張率がデバイス(Si、GaAs、GaN、SiC)と銅やアルミの中間値のため、銅板やアルミ板上にデバイスを実装する場合の応力緩衝材として広く用いられています。 | 10.5 | 275 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~120℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Mg-SiC | Mg-SiC | 18Mg-SiC | 軽量のため大型基板での使用に適しています。 さらに反りが安定しており、高熱伝導とあわせ放熱性に優れています。 |
7.0 | 230 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Mo | Mo | Mo | 半導体(Si、GaN、SiC)に熱膨張が近く、半導体への熱ストレスを低減するために広く用いられます。 | 5.7 | 142 |
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材質 | 名称 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Cu-Diamond | DC60 | 熱膨張率を化合物半導体(GaAs,GaN)に合わせた高熱伝導ヒートシンクです。 | 6.0 | 550 |
DC70 | 6.5 | 500 |
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材質 | 名称・組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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AlN | AlN(200W) | 絶縁やパターン回路が必要な場合に有用です | 4.5 | >200 |
AlN(170W) | 4.5 | >170 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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CPC | CPC141 | Cu/Cu-Mo/Cu | アルミナと熱膨張率の整合をとっており、アルミナを用いたセラミックパッケージに広く用いられています。 | 7.6 | 200 |
CPC232 | Cu:Cu-Mo:Cu=2:3:2(厚み)で積層し、熱膨張率と熱伝導率を調整した材料です。 | 8.4 | 235 | ||
CPC111 | Cu:Cu-Mo:Cu=1:1:1(厚み)で積層し、熱膨張率と熱伝導率を調整した材料です。 | 9.8 | 260 | ||
CPC212 | Cu:Cu-Mo:Cu=2:1:2(厚み)で積層し、熱伝導率を300W/(m・K)に高めた材料です。高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。 | 12.1 | 300 | ||
CPC-300 | 熱伝導率が300W/(m・K)と非常に高く、高出力デバイス(GaN、SiC)の性能発揮のため広く用いられています。0.5mmの薄板対応も可能です。 | 12.1 | 300 |
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材質 | 名称 | 組成 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~400℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Al-SiC | β8 | 70SiC-30Al | 専用金型により加工を必要とせず、安価に製造できます。 パッケージの種類により熱膨張率が可変です。 |
8.0 | 140 |
β9 | 65SiC-35Al | 9.0 | 130 | ||
β14 | 45SiC-55Al | 14.0 | 160 |
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材質 | 名称 | 特徴 | 平均線膨張係数 R.T.~800℃[ppm/K] |
熱伝導率 R.T.[W/(m・K)] |
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Ag-Diamond | AD90 | Cu-Diamondよりも高い熱伝導率(600W/(m・K))を有しており、50×50mm2の大面積の用途へも適用可能です。 | 10.5 | 600 |
ヒートシンクとなる AIN、Cu-W、Cu-Diamond はシャープエッジ(ピン角)に加工できるため光路を妨げず、エッジ先端部で発光する LD 部の放熱性を高めます。また、はんだ流れを制御する技術により、安定したレーザ性能を実現します。